無電解NiPdAuプロセス(還元Pd)

特徴

析出速度が極めて安定。

相対析出速度(%)=経時析出速度/初期析出速度×100

新型Pdめっき浴では、析出速度が低下せず、極めて安定!

  • MTO:析出消費分の補給によるPd金属の更新回数

優れたはんだ付け性とワイヤボンディング性。

はんだ性

はんだボール搭載前にリフロー炉で基板を4回空通しし、予備熱処理

はんだボール
Sn-2Ag-Cu-Ni
ボール径
φ0.4mm
パッド径
φ0.35mm
フラックス
30%Rosin(R type)
装置
Dage-4000HS
シア速度
1000mm/s
シア高さ
100μm

ワイヤボンディング性

主な用途

  • パッケージ用回路基板
  • LED用回路基板
  • プリント配線板

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