無電解NiPdAuプロセス(置換Pd)

特徴

従来の無電解Ni/Pd/Au(ENEPIG)プロセスに比べ、Pd, Au膜厚が極めて薄い。

析出速度が極めて安定。

相対析出速度(%)=経時析出速度/初期析出速度×100

開発した置換型Pdめっき浴は、析出速度が低下せず、極めて安定!

  • MTO:析出消費分の補給によるPd金属の更新回数

従来のNi/Au、Ni/Pd/Auと同等レベルのはんだ付け性とワイヤボンディング性を確保。

主な用途

  • パッケージ用回路基板
  • LED用回路基板
  • プリント配線板

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